K4RAH086VB-BCWM vs K4RAH165VB-BCWM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH086VB-BCWM par Samsung Electronics et K4RAH165VB-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4RAH086VB-BCWM | K4RAH165VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $44,55 | $9,92 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM (volatile DRAM) |
| Taille de mémoire | 16 Gb | 16 Gb |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | — |
| Débit de données | 5600 Mbps | — |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | 1.1 V |
| Interface | DDR5 (parallel) | — |
| Boîtier | FBGA-82 | FBGA-106 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | DRAM (volatile) | DDR5 |
| Speed Grade | BCWM | — |
| Température de fonctionnement | Commercial temperature range (per datasheet) | 0C to +85C |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | 32 (BL32, DDR5 standard) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Statut du cycle de vie | Active | — |
| Sub-channel Architecture | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) | — |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Maximum Data Rate (DDR5 family) | — | up to 7200 Mbps |
| On-die ECC | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Speed Grade (suffix BCWM) | — | [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency] |
| Packaging | — | Tray |