K4RAH086VB-BCWM vs K4RAH165VB-BCWM Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RAH086VB-BCWM por Samsung Electronics y K4RAH165VB-BCWM por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4RAH086VB-BCWM | K4RAH165VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | DRAM | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $44,55 | $9,92 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM (volatile DRAM) |
| Tamaño de memoria | 16 Gb | 16 Gb |
| Organización de memoria | 2G x 8 | — |
| Velocidad de datos | 5600 Mbps | — |
| Tensión de alimentación | 1.1 V | 1.1 V |
| Interfaz | DDR5 (parallel) | — |
| Encapsulado | FBGA-82 | FBGA-106 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | DRAM (volatile) | DDR5 |
| Speed Grade | BCWM | — |
| Temperatura de funcionamiento | Commercial temperature range (per datasheet) | 0C to +85C |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | 32 (BL32, DDR5 standard) | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Estado del ciclo de vida | Active | — |
| Sub-channel Architecture | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) | — |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Maximum Data Rate (DDR5 family) | — | up to 7200 Mbps |
| On-die ECC | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Speed Grade (suffix BCWM) | — | [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency] |
| Packaging | — | Tray |