K4RAH086VB-BCWM vs K4RAH165VB-BCWM 비교
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Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | K4RAH086VB-BCWM | K4RAH165VB-BCWM |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $44.55 | $9.92 |
| 메모리 유형 | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM (volatile DRAM) |
| 메모리 크기 | 16 Gb | 16 Gb |
| 메모리 구성 | 2G x 8 | — |
| 데이터 속도 | 5600 Mbps | — |
| 공급 전압 | 1.1 V | 1.1 V |
| 인터페이스 | DDR5 (parallel) | — |
| 패키지 | FBGA-82 | FBGA-106 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | DRAM (volatile) | DDR5 |
| Speed Grade | BCWM | — |
| 동작 온도 | Commercial temperature range (per datasheet) | 0C to +85C |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | 32 (BL32, DDR5 standard) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| 수명 주기 상태 | Active | — |
| Sub-channel Architecture | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) | — |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Maximum Data Rate (DDR5 family) | — | up to 7200 Mbps |
| On-die ECC | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Speed Grade (suffix BCWM) | — | [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency] |
| Packaging | — | Tray |