K4RBH165VB-BCQK vs K4RHE165VB-BCWM Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4RBH165VB-BCQK от Samsung Electronics и K4RHE165VB-BCWM от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4RBH165VB-BCQK K4RBH165VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH165VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH165VB-BCQK ✓ Активен
Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4RBH165VB-BCQK K4RHE165VB-BCWM
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,00 $0,00
Тип памяти DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Размер памяти 16 Gb —
Организация памяти 1G x 16 1G x 16
Скорость передачи данных 4800 Mbps/pin 5600 Mbps
Speed Grade BCQK (4800 Mbps) —
Рабочая температура 0 C to +85 C 0 to 85 C
Self Refresh Auto self-refresh —
Reset Function Asynchronous reset —
Error Correction On-chip (on-die) ECC —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
Напряжение питания [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD), nominally 1.1 V for DDR5] 1.1 V
Package Type [DATA_NEEDED: exact package code, expected FBGA surface mount] —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount (BGA)
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Burst Length [DATA_NEEDED: burst length (BL16 per DDR5 standard)] —
Density — 24 Gb (3 GB)
Корпус — 106 FBGA
Product Status — Mass Production
Интерфейс — DDR5 (parallel, DDR)
Access Type — Synchronous
Clock Rate (nominal) — 2800 MHz (5600 MT/s DDR)
Ball Count — 106
Уровень MSL — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Standard Pack Quantity — [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену