K4RBH165VB-BCQK vs K4RHE165VB-BCWM Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K4RBH165VB-BCQK von Samsung Electronics und K4RHE165VB-BCWM von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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K4RBH165VB-BCQK K4RBH165VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH165VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH165VB-BCQK ✓ Aktiv
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K4RHE165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K4RBH165VB-BCQK K4RHE165VB-BCWM
Marke Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $0,00
Speichertyp DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Speichergröße 16 Gb —
Speicherorganisation 1G x 16 1G x 16
Datenrate 4800 Mbps/pin 5600 Mbps
Speed Grade BCQK (4800 Mbps) —
Betriebstemperatur 0 C to +85 C 0 to 85 C
Self Refresh Auto self-refresh —
Reset Function Asynchronous reset —
Error Correction On-chip (on-die) ECC —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
Versorgungsspannung [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD), nominally 1.1 V for DDR5] 1.1 V
Package Type [DATA_NEEDED: exact package code, expected FBGA surface mount] —
Montageart Surface Mount Surface Mount (BGA)
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Burst Length [DATA_NEEDED: burst length (BL16 per DDR5 standard)] —
Density — 24 Gb (3 GB)
Gehäuse — 106 FBGA
Product Status — Mass Production
Schnittstelle — DDR5 (parallel, DDR)
Access Type — Synchronous
Clock Rate (nominal) — 2800 MHz (5600 MT/s DDR)
Ball Count — 106
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Standard Pack Quantity — [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity]

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