K4RBH165VB-BCQK vs K4RHE165VB-BCWM 비교

다음의 상세 나란히 비교: K4RBH165VB-BCQK 제조: Samsung Electronics 및 K4RHE165VB-BCWM 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Samsung Electronics
K4RBH165VB-BCQK K4RBH165VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH165VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH165VB-BCQK ✓ 활성
Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM ✓ 활성

사양 비교

파라미터 K4RBH165VB-BCQK K4RHE165VB-BCWM
브랜드 Samsung Electronics Samsung Electronics
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.00 $0.00
메모리 유형 DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
메모리 크기 16 Gb —
메모리 구성 1G x 16 1G x 16
데이터 속도 4800 Mbps/pin 5600 Mbps
Speed Grade BCQK (4800 Mbps) —
동작 온도 0 C to +85 C 0 to 85 C
Self Refresh Auto self-refresh —
Reset Function Asynchronous reset —
Error Correction On-chip (on-die) ECC —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
공급 전압 [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD), nominally 1.1 V for DDR5] 1.1 V
Package Type [DATA_NEEDED: exact package code, expected FBGA surface mount] —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount (BGA)
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Burst Length [DATA_NEEDED: burst length (BL16 per DDR5 standard)] —
Density — 24 Gb (3 GB)
패키지 — 106 FBGA
Product Status — Mass Production
인터페이스 — DDR5 (parallel, DDR)
Access Type — Synchronous
Clock Rate (nominal) — 2800 MHz (5600 MT/s DDR)
Ball Count — 106
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Standard Pack Quantity — [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity]

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청