K9DVGB8U5M vs K9MDG08U5M Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K9DVGB8U5M от Samsung Electronics и K9MDG08U5M от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K9DVGB8U5M K9DVGB8U5M - Samsung NAND Flash Memory Chip | Samsung

K9DVGB8U5M - Samsung NAND Flash Memory Chip | Samsung

K9DVGB8U5M ✓ Активен
Samsung Electronics
K9MDG08U5M K9MDG08U5M - 16Gb x8 MLC NAND Flash TSOP1-48 | Samsung

K9MDG08U5M - 16Gb x8 MLC NAND Flash TSOP1-48 | Samsung

K9MDG08U5M ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K9DVGB8U5M K9MDG08U5M
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $3,05 $35,50
Тип памяти NAND Flash MLC Large Block NAND Flash
Организация памяти [DATA_NEEDED: capacity organization] 16G x 8 bit
Интерфейс Asynchronous x8-bit I/O Asynchronous x8 multiplexed address/data
Напряжение питания [DATA_NEEDED: VCC range] —
Корпус [DATA_NEEDED: package type and dimensions] 48-pin TSOP1 dual stacked, 12 mm x 20 mm
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Page Size [DATA_NEEDED: main page size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: erase block size] [DATA_NEEDED: block size]
Read Time (tR) [DATA_NEEDED: page read cycle time] —
Program Time (tPROG) [DATA_NEEDED: page program time] [DATA_NEEDED: tPROG]
Erase Time (tBERS) [DATA_NEEDED: block erase time] —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention specification] —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Access Interface Signals CLE, ALE, WE, RE, CE, R/B, WP —
Bad Block Management Host-managed (controller ECC and bad-block table required) —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance] unknown
Density — 16 Gbit (2 GB)
Cell Type — MLC (2 bits per cell)
Supply Voltage Min — 2.7 V
Supply Voltage Max — 3.6 V
Terminals — 48
Circuits — 1
Die Configuration — Dual stacked
Page Read Time (tR) — [DATA_NEEDED: tR]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену