K9PDG08U5M vs K9XXG08UXM Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K9PDG08U5M от Samsung Electronics и K9XXG08UXM от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K9PDG08U5M K9PDG08U5M - 4Gb x8 SLC NAND Flash 3.3V | Samsung Electronics

K9PDG08U5M - 4Gb x8 SLC NAND Flash 3.3V | Samsung Electronics

K9PDG08U5M ✗ Снят с производства
Samsung Electronics
K9XXG08UXM K9XXG08UXM - 2G x 8 Bit NAND Flash Memory | Samsung

K9XXG08UXM - 2G x 8 Bit NAND Flash Memory | Samsung

K9XXG08UXM Obsolete

Сравнение характеристик

Параметр K9PDG08U5M K9XXG08UXM
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория EEPROM Memory ICs
Статус жизненного цикла Снято с производства Obsolete
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $4,20 $0,00
Тип памяти NAND Flash (SLC) —
Density 4 Gbit —
Организация памяти x8 (multiplexed I/O) —
Напряжение питания [DATA_NEEDED: supply voltage range] 2.7 V to 3.6 V
Корпус TSOP1-48 48-pin TSOP
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Page Size [DATA_NEEDED: page size] (2K + 64) Byte
Block Size [DATA_NEEDED: block size] (256K + 8K) Byte
Page Read Time [DATA_NEEDED: page read time] —
Page Program Time [DATA_NEEDED: page program time] —
Block Erase Time [DATA_NEEDED: block erase time] —
Access Interface Asynchronous multiplexed address/data, CLE/ALE control —
Ready/Busy Output Yes (R/B, open-drain) —
Write Protect Pin Yes (/WP) —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Размер памяти — 2G x 8 Bit (2Gb)
Memory Cell Array Organization — (1G + 32M) bit x 8 bit
Data Register — (2K + 64) bit x 8 bit
Program Operation — Automatic Page Program, (2K + 64) Byte
Erase Operation — Automatic Block Erase, (256K + 8K) Byte
I/O Interface — 8-bit multiplexed address/data/command
Control Signals — CLE, ALE, CE, RE, WE, WP, R/B
Cell Type — SLC (single-level cell) NAND
Access Time (tR) — [DATA_NEEDED: Access Time]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену