M29W400FB55N3E vs M29W400FB55N3F Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29W400FB55N3E от Micron Technology и M29W400FB55N3F от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ Активен
Micron Technology
M29W400FB55N3F M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29W400FB55N3E M29W400FB55N3F
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория EEPROM Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,00 $2,55
Тип памяти NOR Flash (parallel) NOR Flash
Density 4 Mbit (4194 kbits) —
Организация памяти 512K x 8 bit / 256K x 16 bit 512K x8 / 256K x16
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Интерфейс Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable) Parallel (asynchronous)
Block Architecture 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB) Boot block with hardware sector protection
Programming Time 10 us per byte/word typical —
Boot Block Hardware Protection Yes —
Рабочая температура -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Корпус 48-TSOP I, 12 x 20 mm 48-pin TSOP I (12 x 20 mm)
Pins 48 —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tape & Reel (TR)
Статус RoHS Compliant —
Speed Grades in Family 55 ns, 70 ns —
Размер памяти — 4 Mbit
Program/Erase Supply — Single 2.7 V to 3.6 V
Byte/Word Select — BYTE# pin
Program Suspend/Erase Suspend — Supported
Lead-Free / RoHS — Yes (F suffix = lead-free RoHS-compliant)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles per block]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention years]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену