M29W400FB55N3E vs M29W400FB55N3F 비교

다음의 상세 나란히 비교: M29W400FB55N3E 제조: Micron Technology 및 M29W400FB55N3F 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ 활성
Micron Technology
M29W400FB55N3F M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F ✓ 활성

사양 비교

파라미터 M29W400FB55N3E M29W400FB55N3F
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 EEPROM Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.00 $2.55
메모리 유형 NOR Flash (parallel) NOR Flash
Density 4 Mbit (4194 kbits) —
메모리 구성 512K x 8 bit / 256K x 16 bit 512K x8 / 256K x16
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
인터페이스 Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable) Parallel (asynchronous)
Block Architecture 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB) Boot block with hardware sector protection
Programming Time 10 us per byte/word typical —
Boot Block Hardware Protection Yes —
동작 온도 -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
패키지 48-TSOP I, 12 x 20 mm 48-pin TSOP I (12 x 20 mm)
Pins 48 —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tape & Reel (TR)
RoHS 상태 Compliant —
Speed Grades in Family 55 ns, 70 ns —
메모리 크기 — 4 Mbit
Program/Erase Supply — Single 2.7 V to 3.6 V
Byte/Word Select — BYTE# pin
Program Suspend/Erase Suspend — Supported
Lead-Free / RoHS — Yes (F suffix = lead-free RoHS-compliant)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles per block]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention years]

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