MD7P19130HSR5 vs MD7P19130HSR3 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MD7P19130HSR5 от NXP Semiconductors и MD7P19130HSR3 от NXP Semiconductors. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

NXP Semiconductors
MD7P19130HSR5 MD7P19130HSR5 - 40W RF Power LDMOS, 1.93-1.99 GHz | NXP

MD7P19130HSR5 - 40W RF Power LDMOS, 1.93-1.99 GHz | NXP

MD7P19130HSR5 ✓ Активен
NXP Semiconductors
MD7P19130HSR3 MD7P19130HSR3 - 40W, 1.93-1.99GHz RF Power MOSFET | NXP

MD7P19130HSR3 - 40W, 1.93-1.99GHz RF Power MOSFET | NXP

MD7P19130HSR3 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MD7P19130HSR5 MD7P19130HSR3
Бренд NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $58,10 $65,10
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) —
Part Number MD7P19130HSR5 —
Тип транзистора LDMOS (Dual), N-Channel LDMOS (Dual), Lateral N-Channel RF Power MOSFET
Technology RF Power LDMOS NXP HV7 LDMOS
Drain-Source Voltage (VDS) 28 V (typical operating), 65 V (rated) —
Drain Current (Continuous) 1.25 A —
Output Power (Pout) 40 W (minimum, CW) 40 W average (W-CDMA, single-carrier)
Power Gain (Gp) 20 dB (typical at 1.99 GHz) —
Operating Frequency 1.93 GHz to 1.99 GHz —
Frequency Band DCS1800 / PCS1900 / UMTS / LTE Band 1/2/3 —
Корпус / Типоразмер NI-780HS-4L (NI780HS-4 ceramic, flange mount) NI-780S-4L (CASE 465M-01, STYLE 1), ceramic flanged
Тип монтажа Chassis / Flange Mount (through-hole flange) Chassis-mount (bolt-down) with ceramic lid
Weight 6.47 g —
Статус RoHS Compliant Compliant
Test Conditions VDS = 28 V, IDQ set per datasheet, f = 1.99 GHz, CW —
Drain-Source Voltage (VDS) Rated — 65 V
Operating Drain Voltage (VDD) — 28 V (typical)
Frequency Range — 1930 MHz to 1990 MHz
Power Gain — 20 dB typical at 1987.5 MHz
Drain Efficiency — 30% typical at 40 W, 1987.5 MHz
Quiescent Drain Current (IDQ) — 1250 mA
ACPR (5 MHz offset, 3.84 MHz channel) — -36 dBc typical
Input Signal PAR — 7.5 dB @ 0.01% probability on CCDF
Device Output Signal PAR — 6 dB @ 0.01% probability on CCDF
Operating Mode — Single-carrier W-CDMA, Class AB

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену