MHT1008NT1 vs MHT1008NT1515 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MHT1008NT1 от NXP Semiconductors и MHT1008NT1515 от NXP Semiconductors. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

NXP Semiconductors
MHT1008NT1 MHT1008NT1 - 12.5W RF LDMOS 2450MHz | NXP Semiconductors

MHT1008NT1 - 12.5W RF LDMOS 2450MHz | NXP Semiconductors

MHT1008NT1 ✓ Активен
NXP Semiconductors
MHT1008NT1515 MHT1008NT1515 - 12.5W RF LDMOS 2450MHz ISM N-Channel | NXP

MHT1008NT1515 - 12.5W RF LDMOS 2450MHz ISM N-Channel | NXP

MHT1008NT1515 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MHT1008NT1 MHT1008NT1515
Бренд NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $9,55 $0,94
Manufacturer NXP Semiconductors NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Part Number MHT1008NT1 MHT1008NT1515
Тип транзистора LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode —
Application RF Power Transistor, ISM Band —
Operating Frequency 2400 MHz to 2500 MHz (2450 MHz typ) 2450 MHz (ISM band)
Test Frequency 2450 MHz —
Drain Supply Voltage (Vdd) 28 V (typical) —
Output Power (CW) 12.5 W 12.5 W
Power Gain (typical) 18.6 dB at 2450 MHz —
Drain Current 110 mA —
Power Gain (DigiKey reported) 20.9 dB (max value reported by distributor) —
Корпус / Типоразмер PLD-1.5W (SOT1811), ceramic flanged —
Тип монтажа Chassis / flange mount with bolt-down heatsink Surface Mount / Flange Mount with heat spreader
Статус RoHS [DATA_NEEDED: rohs_status] Compliant
Lead-Free [DATA_NEEDED: lead_free] —
MSL (Moisture Sensitivity Level) [DATA_NEEDED: msl_level] —
Device Type — RF Power LDMOS Transistor, N-Channel Enhancement-Mode
Drain-Source Voltage V(BR)DSS — 65 V (minimum)
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.6 V
Typical Gain — 20.9 dB at 2.45 GHz
Drain Bias (typical) — 28 V
Total Power Dissipation — 48.1 W
Рабочая температура перехода — -40 °C to +150 °C
Корпус — PLD-1.5W (PLD-1) ceramic flange
Technology — LDMOS (Laterally Diffused MOSFET)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену