MMA1250EGR2 vs MMA1260EGR2 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MMA1250EGR2 от NXP Semiconductors и MMA1260EGR2 от NXP Semiconductors. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

NXP Semiconductors
MMA1250EGR2 MMA1250EGR2 - ±5g Z-Axis Micromachined Accelerometer | NXP

MMA1250EGR2 - ±5g Z-Axis Micromachined Accelerometer | NXP

MMA1250EGR2 ⚠ Последняя закупка

Сравнение характеристик

Параметр MMA1250EGR2 MMA1260EGR2
Бренд NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Категория Motion Sensors Motion Sensors
Статус жизненного цикла Последняя закупка NRND
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,85 $5,20
Тип датчика Accelerometer Accelerometer
Axis Z (perpendicular to package top) —
Full-Scale Range ±5 g —
Тип выхода Analog, ratiometric Analog voltage (ratiometric)
Bandwidth 50 Hz (internal 2-pole low-pass filter) 50 Hz (2-pole low-pass filter)
Sensitivity [DATA_NEEDED: sensitivity in mV/g] 1140 mV/g to 1260 mV/g
Zero-g Output Approximately Vdd/2 (ratiometric) —
Напряжение питания 5.0 V nominal (per legacy MMA1250 datasheet typical conditions) 5.0 V (nominal)
Ток потребления [DATA_NEEDED: quiescent current in mA] [DATA_NEEDED: typical supply current]
Рабочая температура -40 C to +85 C (industrial grade) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Корпус 16-SOIC (SOP-16), surface mount 16-pin SOIC (SOG)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Sensor Technology Micromachined silicon capacitive —
Internal Features Signal conditioning, 2-pole low-pass filter, temperature compensation, self-test —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: confirm per NXP product page] Compliant (per distributor listings)
Sensing Axis — Z
Acceleration Range — ±1.55 g
Output at 0 g — 2.5 V (nominal, ratiometric)
Self-Test — Yes (electrostatic force activation)
Zero-g Offset Drift — [DATA_NEEDED: zero-g offset over temperature]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену