MRF7S21080HR3 vs MRF7S21080HSR3 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MRF7S21080HR3 от NXP Semiconductors и MRF7S21080HSR3 от NXP Semiconductors. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

NXP Semiconductors
MRF7S21080HR3 MRF7S21080HR3 - 22W, 2110-2170 MHz RF Power LDMOS | NXP

MRF7S21080HR3 - 22W, 2110-2170 MHz RF Power LDMOS | NXP

MRF7S21080HR3 ✓ Активен
NXP Semiconductors
MRF7S21080HSR3 MRF7S21080HSR3 - 22W RF Power MOSFET 2.1GHz NI-780S | NXP

MRF7S21080HSR3 - 22W RF Power MOSFET 2.1GHz NI-780S | NXP

MRF7S21080HSR3 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MRF7S21080HR3 MRF7S21080HSR3
Бренд NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $24,95 $71,50
Тип транзистора LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral N-Channel RF Power MOSFET
Technology RF Power Field Effect Transistor (lateral MOSFET) Lateral MOSFET, enhancement-mode
Frequency Band 2110 MHz to 2170 MHz —
Test Frequency 2.11 GHz to 2.17 GHz 2167.5 MHz
Rated Drain Voltage 65 V —
Test Supply Voltage (VDD) 28 V —
Quiescent Current (IDQ) 800 mA —
Output Power (Avg, W-CDMA) 22 W Avg. —
Power Gain 18 dB 18 dB
Drain Efficiency (typical) 32 % —
ACPR @ 5 MHz Offset -38 dBc in 3.84 MHz channel —
Output Signal PAR 6.5 dB at 0.01% CCDF —
Input Signal PAR 7.5 dB at 0.01% CCDF —
Channel Bandwidth 3.84 MHz 3.84 MHz
Корпус NI-780S-4S2S (NI-780, 3-pin ceramic, flange mount) NI-780S (NI-780HS) ceramic-metal sealed
Тип монтажа Surface Mount / Flange Mount Surface Mount
Application CDMA / W-CDMA / LTE base-station power amplifiers —
Manufacturer — NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Part Number — MRF7S21080HSR3
Operating Frequency — 2110 MHz to 2170 MHz
Drain-Source Voltage (VDS max) — 65 V
Operating Drain Voltage (VDD) — 28 V
Quiescent Drain Current (IDQ) — 800 mA
Output Power (Average, W-CDMA) — 22 W
Drain Efficiency — 32%
ACPR at 5 MHz Offset — -38 dBc
Device Output Signal PAR — 6.5 dB at 0.01% CCDF
Configuration — Single
Terminal Form — Flat
Package Body Material — Ceramic, metal-sealed cofired
Lead-Free — Yes
Статус RoHS — Compliant (per NXP product page)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену