MRF8P23160WHSR3 vs MRF8P26080HSR3 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MRF8P23160WHSR3 от NXP Semiconductors и MRF8P26080HSR3 от NXP Semiconductors. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

NXP Semiconductors
MRF8P23160WHSR3 MRF8P23160WHSR3 - 160W RF Power MOSFET 2.3-2.4GHz | NXP

MRF8P23160WHSR3 - 160W RF Power MOSFET 2.3-2.4GHz | NXP

MRF8P23160WHSR3 Obsolete
NXP Semiconductors
MRF8P26080HSR3 MRF8P26080HSR3 - 14W, 2.6GHz W-CDMA/LTE RF Power MOSFET | NXP

MRF8P26080HSR3 - 14W, 2.6GHz W-CDMA/LTE RF Power MOSFET | NXP

MRF8P26080HSR3 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MRF8P23160WHSR3 MRF8P26080HSR3
Бренд NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Категория RF Transceivers MOSFETs
Статус жизненного цикла Obsolete Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $99,10 $99,85
Manufacturer NXP USA Inc. (formerly Freescale Semiconductor) —
Тип транзистора N-Channel LDMOS RF Power MOSFET N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Operating Mode Enhancement Mode —
Frequency Range 2300 to 2400 MHz 2500 MHz to 2700 MHz
Test Frequency 2.32 GHz —
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 65 V —
Test Voltage (VDD) 28 V —
Power Gain 14.1 dB —
Average Output Power (P1dB / W-CDMA) 30 W —
Peak Output Power 160 W —
Quiescent Drain Current (IDQA) 600 mA —
Package Type NI-780-4 (CASE 465M-01), ceramic flangeless —
Number of Terminals 4 —
Способ монтажа Surface Mount (SMD flat lead) —
Диапазон рабочих температур [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +150C (junction)
Technology HV8 Lateral LDMOS Gen8 LDMOS (Silicon, Lateral)
Configuration Single (Doherty-ready) —
Application Base Station / Macro Cell Power Amplifier —
Статус RoHS Compliant —
Уровень чувствительности к влаге (MSL) [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Average Output Power (P3dB) — 14 W (W-CDMA, single-carrier)
Peak Output Power (CW) — 80 W
Drain-Source Voltage (VDSS max) — 65 V
Operating Drain Voltage (VDD) — 28 V nominal
Test Mode — Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA
Application Class — Class AB or Class C capable
Modulation Formats — W-CDMA, LTE, OFDM, multi-carrier
Корпус — NI-780S-4 (ceramic, flange-mount, air-cavity)
Тип монтажа — Through-hole flange-mount with screw attachment
Lead Finish — Gold-plated (NiPdAu)
Lead-Free / RoHS — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену