MT40A2G8AG-062E vs K4AAG085WM-BCWE Сравнение
Подробное сравнение бок о бок MT40A2G8AG-062E от Micron Technology и K4AAG085WM-BCWE от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron
MT40A2G8AG-062E ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | MT40A2G8AG-062E | K4AAG085WM-BCWE |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | DRAM |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $9,75 | $7,00 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gb |
| Организация памяти | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Speed | DDR4-3200 (3200 MT/s) | — |
| Clock Frequency | 1600 MHz | — |
| Access Time (Clock Cycle Time) | 0.625 ns (tCK) | — |
| Задержка CAS | CL22 (DDR4-3200) | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| I/O Interface | POD12 (1.2 V pseudo-open drain) | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| Number of Banks | 16 (4 bank groups x 4 banks) | — |
| Operating Temperature (AUT grade) | -40C to +95C (per Micron grade table) | — |
| Корпус | 78-FBGA (7.5 x 11 mm) | 78FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Статус RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Die Revision | AG (current generation) | — |
| Скорость передачи данных | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Напряжение питания | — | 1.2 V |
| Рабочая температура | — | 0C to +85C |
| Интерфейс | — | DDR4 (JEDEC-standard) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |
| Speed Grade Suffix | — | -BCWE |
| Application Class | — | Memory IC / Storage Component |
| Power Reduction vs DDR3 | — | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) |
| Уровень MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |