MT40A2G8AG-062E vs K4AAG085WM-BCWE 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT40A2G8AG-062E 제조: Micron Technology 및 K4AAG085WM-BCWE 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MT40A2G8AG-062E | K4AAG085WM-BCWE |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $9.75 | $7.00 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gb |
| 메모리 구성 | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Speed | DDR4-3200 (3200 MT/s) | — |
| Clock Frequency | 1600 MHz | — |
| Access Time (Clock Cycle Time) | 0.625 ns (tCK) | — |
| CAS 레이턴시 | CL22 (DDR4-3200) | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| I/O Interface | POD12 (1.2 V pseudo-open drain) | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| Number of Banks | 16 (4 bank groups x 4 banks) | — |
| Operating Temperature (AUT grade) | -40C to +95C (per Micron grade table) | — |
| 패키지 | 78-FBGA (7.5 x 11 mm) | 78FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Die Revision | AG (current generation) | — |
| 데이터 속도 | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| 동작 온도 | — | 0C to +85C |
| 인터페이스 | — | DDR4 (JEDEC-standard) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |
| Speed Grade Suffix | — | -BCWE |
| Application Class | — | Memory IC / Storage Component |
| Power Reduction vs DDR3 | — | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |