MT40A2G8AG-062E vs K4AAG085WM-BCWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT40A2G8AG-062E por Micron Technology y K4AAG085WM-BCWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | MT40A2G8AG-062E | K4AAG085WM-BCWE |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $9,75 | $7,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gb |
| Organización de memoria | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Speed | DDR4-3200 (3200 MT/s) | — |
| Clock Frequency | 1600 MHz | — |
| Access Time (Clock Cycle Time) | 0.625 ns (tCK) | — |
| Latencia CAS | CL22 (DDR4-3200) | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| I/O Interface | POD12 (1.2 V pseudo-open drain) | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| Number of Banks | 16 (4 bank groups x 4 banks) | — |
| Operating Temperature (AUT grade) | -40C to +95C (per Micron grade table) | — |
| Encapsulado | 78-FBGA (7.5 x 11 mm) | 78FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Estado RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Die Revision | AG (current generation) | — |
| Velocidad de datos | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0C to +85C |
| Interfaz | — | DDR4 (JEDEC-standard) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |
| Speed Grade Suffix | — | -BCWE |
| Application Class | — | Memory IC / Storage Component |
| Power Reduction vs DDR3 | — | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |