MT40A2G8AG-062E vs K4AAG085WM-BCWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A2G8AG-062E par Micron Technology et K4AAG085WM-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A2G8AG-062E | K4AAG085WM-BCWE |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $9,75 | $7,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gb |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Speed | DDR4-3200 (3200 MT/s) | — |
| Clock Frequency | 1600 MHz | — |
| Access Time (Clock Cycle Time) | 0.625 ns (tCK) | — |
| Latence CAS | CL22 (DDR4-3200) | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| I/O Interface | POD12 (1.2 V pseudo-open drain) | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| Number of Banks | 16 (4 bank groups x 4 banks) | — |
| Operating Temperature (AUT grade) | -40C to +95C (per Micron grade table) | — |
| Boîtier | 78-FBGA (7.5 x 11 mm) | 78FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Die Revision | AG (current generation) | — |
| Débit de données | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Température de fonctionnement | — | 0C to +85C |
| Interface | — | DDR4 (JEDEC-standard) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |
| Speed Grade Suffix | — | -BCWE |
| Application Class | — | Memory IC / Storage Component |
| Power Reduction vs DDR3 | — | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |