NT5AD512M16C4-HR vs K4A8G165WB-BCTD Сравнение
Подробное сравнение бок о бок NT5AD512M16C4-HR от Nanya Technology и K4A8G165WB-BCTD от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-HR - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Tech
NT5AD512M16C4-HR ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | NT5AD512M16C4-HR | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| Бренд | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $43,10 | $37,00 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Организация памяти | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gbit | — |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.2 V |
| Скорость передачи данных | 1.333 GHz (DDR4-2666) | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) |
| Рабочая температура | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C (TC) |
| Корпус | FBGA-96 (TFBGA) | 96-ball FBGA |
| Количество выводов | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Total Density | — | 8 Gb |
| Задержка CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| tRCD | — | [DATA_NEEDED: tRCD value] |
| tRP | — | [DATA_NEEDED: tRP value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |