NT5AD512M16C4-HR vs K4A8G165WB-BCTD Comparación
Comparación detallada lado a lado de NT5AD512M16C4-HR por Nanya Technology y K4A8G165WB-BCTD por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | NT5AD512M16C4-HR | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $43,10 | $37,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gbit | — |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Velocidad de datos | 1.333 GHz (DDR4-2666) | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C (TC) |
| Encapsulado | FBGA-96 (TFBGA) | 96-ball FBGA |
| Número de pines | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Total Density | — | 8 Gb |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| tRCD | — | [DATA_NEEDED: tRCD value] |
| tRP | — | [DATA_NEEDED: tRP value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |