NT5AD512M16C4-HR vs K4A8G165WB-BCTD Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT5AD512M16C4-HR von Nanya Technology und K4A8G165WB-BCTD von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | NT5AD512M16C4-HR | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $43,10 | $37,00 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gbit | — |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V |
| Datenrate | 1.333 GHz (DDR4-2666) | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C (TC) |
| Gehäuse | FBGA-96 (TFBGA) | 96-ball FBGA |
| Anzahl der Pins | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Total Density | — | 8 Gb |
| CAS-Latenz | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| tRCD | — | [DATA_NEEDED: tRCD value] |
| tRP | — | [DATA_NEEDED: tRP value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |