NT5AD512M16C4-HR vs K4A8G165WB-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5AD512M16C4-HR par Nanya Technology et K4A8G165WB-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT5AD512M16C4-HR | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $43,10 | $37,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gbit | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Débit de données | 1.333 GHz (DDR4-2666) | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C (TC) |
| Boîtier | FBGA-96 (TFBGA) | 96-ball FBGA |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Total Density | — | 8 Gb |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| tRCD | — | [DATA_NEEDED: tRCD value] |
| tRP | — | [DATA_NEEDED: tRP value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |