NT5CB256M16CP-EK vs K4B4G1646E-BYMA Сравнение

Подробное сравнение бок о бок NT5CB256M16CP-EK от Nanya Technology и K4B4G1646E-BYMA от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-EK NT5CB256M16CP-EK - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-EK - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-EK ✓ Активен
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр NT5CB256M16CP-EK K4B4G1646E-BYMA
Бренд Nanya Technology Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $5,90 $14,32
Тип памяти DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
Организация памяти 256M x 16 256M x 16
Напряжение питания 1.35V (1.425V to 1.575V) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Скорость передачи данных DDR3-2133 (CL14) 1866 Mbps/pin
CAS Latency (CL) 9, 10, 11, 12, 13, 14 —
WRITE Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Posted CAS Additive Latency Programmable —
Internal Banks 8 (BA0-BA2) —
Корпус 96-ball TFBGA FBGA-96
Рабочая температура Commercial: 0C to +95C; Industrial: -40C to +95C; Automotive: -40C to +95C 0°C to +95°C
RoHS Compliant Compliant
REACH Compliant —
Lead-Free Yes —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Clock Frequency — 933 MHz
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
Задержка CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — [DATA_NEEDED: Burst Length]
Количество выводов — 96

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену