NT5CB256M16CP-EK vs K4B4G1646E-BYMA Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von NT5CB256M16CP-EK von Nanya Technology und K4B4G1646E-BYMA von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-EK NT5CB256M16CP-EK - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-EK - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-EK ✓ Aktiv
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter NT5CB256M16CP-EK K4B4G1646E-BYMA
Marke Nanya Technology Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $5,90 $14,32
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
Speicherorganisation 256M x 16 256M x 16
Versorgungsspannung 1.35V (1.425V to 1.575V) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Datenrate DDR3-2133 (CL14) 1866 Mbps/pin
CAS Latency (CL) 9, 10, 11, 12, 13, 14 —
WRITE Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Posted CAS Additive Latency Programmable —
Internal Banks 8 (BA0-BA2) —
Gehäuse 96-ball TFBGA FBGA-96
Betriebstemperatur Commercial: 0C to +95C; Industrial: -40C to +95C; Automotive: -40C to +95C 0°C to +95°C
RoHS Compliant Compliant
REACH Compliant —
Lead-Free Yes —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Clock Frequency — 933 MHz
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — [DATA_NEEDED: Burst Length]
Anzahl der Pins — 96

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern