NT5CB256M16CP-EK vs K4B4G1646E-BYMA 비교

다음의 상세 나란히 비교: NT5CB256M16CP-EK 제조: Nanya Technology 및 K4B4G1646E-BYMA 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-EK NT5CB256M16CP-EK - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-EK - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-EK ✓ 활성
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ 활성

사양 비교

파라미터 NT5CB256M16CP-EK K4B4G1646E-BYMA
브랜드 Nanya Technology Samsung Electronics
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $5.90 $14.32
메모리 유형 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
메모리 구성 256M x 16 256M x 16
공급 전압 1.35V (1.425V to 1.575V) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
데이터 속도 DDR3-2133 (CL14) 1866 Mbps/pin
CAS Latency (CL) 9, 10, 11, 12, 13, 14 —
WRITE Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Posted CAS Additive Latency Programmable —
Internal Banks 8 (BA0-BA2) —
패키지 96-ball TFBGA FBGA-96
동작 온도 Commercial: 0C to +95C; Industrial: -40C to +95C; Automotive: -40C to +95C 0°C to +95°C
RoHS Compliant Compliant
REACH Compliant —
Lead-Free Yes —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Clock Frequency — 933 MHz
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
CAS 레이턴시 — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — [DATA_NEEDED: Burst Length]
핀 수 — 96

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청