NT5CB256M16CP-EK vs K4B4G1646E-BYMA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5CB256M16CP-EK par Nanya Technology et K4B4G1646E-BYMA par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT5CB256M16CP-EK | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,90 | $14,32 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35V (1.425V to 1.575V) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Débit de données | DDR3-2133 (CL14) | 1866 Mbps/pin |
| CAS Latency (CL) | 9, 10, 11, 12, 13, 14 | — |
| WRITE Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Posted CAS Additive Latency | Programmable | — |
| Internal Banks | 8 (BA0-BA2) | — |
| Boîtier | 96-ball TFBGA | FBGA-96 |
| Température de fonctionnement | Commercial: 0C to +95C; Industrial: -40C to +95C; Automotive: -40C to +95C | 0°C to +95°C |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| REACH | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Nombre de broches | — | 96 |