NVMFS6B25NLT1G vs BSC0901NSATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок NVMFS6B25NLT1G от onsemi и BSC0901NSATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

onsemi
NVMFS6B25NLT1G NVMFS6B25NLT1G - 100V 24mΩ 33A N-Channel MOSFET | onsemi

NVMFS6B25NLT1G - 100V 24mΩ 33A N-Channel MOSFET | onsemi

NVMFS6B25NLT1G ✓ Активен
Infineon
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0901NSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0901NSATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр NVMFS6B25NLT1G BSC0901NSATMA1
Бренд onsemi Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,62 $0,78
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 8 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 33 A —
Drain-to-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 24 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Power Dissipation at TA=25°C 3.6 W —
Power Dissipation at TC=25°C 62 W —
Series Automotive, AEC-Q101 —
Корпус 5-DFN (5x6) 8-SOFL, surface mount TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55°C to +175°C -55C to +150C
Статус RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 30V
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 28 A
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 1.9 mOhm
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy (EAS) — 80 mJ
Power Dissipation (PD) at Tc — 69 W
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Уровень чувствительности к влаге (MSL) — 1
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single N-Channel with Built-in Diode

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену