NVMFS6B25NLT1G vs BSC0901NSATMA1 比較

詳細な並列比較: NVMFS6B25NLT1G メーカー: onsemi および BSC0901NSATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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NVMFS6B25NLT1G NVMFS6B25NLT1G - 100V 24mΩ 33A N-Channel MOSFET | onsemi

NVMFS6B25NLT1G - 100V 24mΩ 33A N-Channel MOSFET | onsemi

NVMFS6B25NLT1G ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ NVMFS6B25NLT1G BSC0901NSATMA1
ブランド onsemi Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.62 $0.78
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 8 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 33 A —
Drain-to-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 24 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Power Dissipation at TA=25°C 3.6 W —
Power Dissipation at TC=25°C 62 W —
Series Automotive, AEC-Q101 —
パッケージ 5-DFN (5x6) 8-SOFL, surface mount TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55°C to +175°C -55C to +150C
RoHS ステータス Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 30V
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 28 A
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 1.9 mOhm
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy (EAS) — 80 mJ
Power Dissipation (PD) at Tc — 69 W
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
湿気感度レベル(MSL) — 1
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single N-Channel with Built-in Diode

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