SSM3K35CT vs SSM3K35CT-L3F Сравнение

Подробное сравнение бок о бок SSM3K35CT от Toshiba и SSM3K35CT-L3F от Toshiba. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Toshiba
SSM3K35CT SSM3K35CT - 20V N-Channel MOSFET, 0.18A, SOT-883 | Toshiba

SSM3K35CT - 20V N-Channel MOSFET, 0.18A, SOT-883 | Toshiba

SSM3K35CT ✓ Активен
Toshiba
SSM3K35CT-L3F SSM3K35CT-L3F - 20V 0.18A N-Channel MOSFET SOT-883 | Toshiba

SSM3K35CT-L3F - 20V 0.18A N-Channel MOSFET SOT-883 | Toshiba

SSM3K35CT-L3F ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр SSM3K35CT SSM3K35CT-L3F
Бренд Toshiba Toshiba
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,15 $0,09
Polarity N-Channel N-Channel
MOSFET Mode Enhancement —
Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) 0.18 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 3.0 Ω at VGS = 4 V —
Gate Threshold Voltage (Vth) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max gate-source voltage] —
Power Dissipation (PD) 100 mW (Ta) —
Диапазон рабочих температур [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Корпус SOT-883 (CST3), 3-pin leadless SOT-883 (CST3), 3 pins
Package Outline Code CST3 (Toshiba internal), 2-1J1B —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] —
Application Category High-Speed Switching / Analog Switches —
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes (L3F suffix)
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (V(DSS)) — 20 V
Gate-Source Voltage (V(GSS)) — ±10 V (per datasheet, [DATA_NEEDED: exact value])
Continuous Drain Current (I(D)) — 0.18 A (180 mA)
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS = 2.5 V]
Power Dissipation (P_D) — 500 mW (Ta) / [DATA_NEEDED: Ta condition]
Package Size — 1.0 mm x 0.6 mm, max height 0.5 mm
Рабочая температура — [DATA_NEEDED: junction/storage temperature range]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Tape and Reel — 8 mm embossed carrier, 3,000 pcs/reel (L3F suffix)
Manufacturer — Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену