ULN2003ANE4 vs ULN2003AN Сравнение

Подробное сравнение бок о бок ULN2003ANE4 от Texas Instruments и ULN2003AN от Texas Instruments. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Texas Instruments
ULN2003ANE4 ULN2003ANE4 - 7-Ch NPN Darlington 500mA 16-PDIP | TI

ULN2003ANE4 - 7-Ch NPN Darlington 500mA 16-PDIP | TI

ULN2003ANE4 ✓ Активен
Texas Instruments
ULN2003AN ULN2003AN - 50V 500mA 7-Ch Darlington Array | TI | DIP-16

ULN2003AN - 50V 500mA 7-Ch Darlington Array | TI | DIP-16

ULN2003AN ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр ULN2003ANE4 ULN2003AN
Бренд Texas Instruments Texas Instruments
Категория Transistors Transistors
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,12 $0,31
Тип транзистора 7 NPN Darlington Pairs 7 x NPN Darlington Pair Array
Configuration Array (7 channels, common emitter) —
Collector-Emitter Voltage (VCEO max) 50 V —
Continuous Collector Current (per channel) 500 mA —
Peak Collector Current (per channel, pulsed) 500 mA (data not confirmed, [DATA_NEEDED]) —
DC Current Gain (hFE) 1000 (min), 5000 (typical) —
Input Compatibility CMOS, TTL, 3.3V/5V logic —
Input Base Resistor (integrated) 2.7 kOhm —
Clamp Diode Type Common-cathode flyback diodes —
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) 0.95 V typical at IC=100mA; 1.35 V at 200mA; 1.7 V at 350mA —
Диапазон рабочих температур -20C to +85C (some variants -40C to +105C) [DATA_NEEDED: automotive temp grade] -20 C to +85 C (TI datasheet)
Корпус 16-PDIP (N, 0.300 inch / 7.62mm width) 16-PDIP (N) through-hole
Тип монтажа Through Hole Through Hole
Число выводов 16 —
Lead Free / RoHS Status RoHS Compliant (E4 suffix = Pb-free, NiPdAu lead finish) —
Уровень MSL 1 (unlimited, through-hole) —
Channel-to-Channel Matching Matched VBE and hFE —
Number of Channels — 7
Collector-Emitter Voltage (Vce Max) — 50 V
Continuous Collector Current (Ic, single output) — 500 mA
Peak Collector Current — 600 mA
DC Current Gain (hFE, typical) — 1000 (min)
Vce(sat) at 100mA — 0.9 V to 1.0 V typical
Vce(sat) at 350mA — 1.1 V typical
Input Base Resistance — 2.7 kohm integrated
Clamp Diodes — Yes (common cathode to COM pin)
Junction Temperature (max) — 150 C
Logic Compatibility — TTL, CMOS, DTL, PMOS, 5V/3.3V microcontrollers
Статус RoHS — Compliant (lead-free N suffix)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену