H5TC4G63AFR-H9A vs H5TC4G63CFR-H9A Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng H5TC4G63AFR-H9A sa pamamagitan ng SK hynix at H5TC4G63CFR-H9A sa pamamagitan ng SK hynix. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | H5TC4G63AFR-H9A | H5TC4G63CFR-H9A |
|---|---|---|
| Brand | SK hynix | SK hynix |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V | — |
| Rate ng Data | 1866 Mbps (PC3-14900) | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)] |
| Latensya ng CAS | 13 | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Packhaging | 96-ball FBGA | 96-ball TFBGA |
| Temperature na Operasyon | 0C to +95C (TC) | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Wala sa Halogen | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8, 4 | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Memory Density | — | 4Gb (4294967296 bit) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V + 0.100 / - 0.067V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V + 0.100 / - 0.067V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Tindminan RoHS | — | Compliant |
| Differential Clock Inputs | — | Yes (CK, CK) |
| Differential Data Strobe | — | Yes (DQS, DQS) |
| On-Chip DLL | — | Yes |
| DM (Data Mask) | — | Yes |