K4B4G1646E-BMMA vs K4B4G1646D-BCH90 Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4B4G1646E-BMMA sa pamamagitan ng Samsung Electronics at K4B4G1646D-BCH90 sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCH90 ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4B4G1646E-BMMA | K4B4G1646D-BCH90 |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Presyo ng Yunit (USD) | $16.08 | — |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Organisasyon | 256M x 16 | 32M x 16 |
| Rate ng Data | 1600 Mbps | 2133 Mb/s per pin |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Temperature na Operasyon | -40°C to +95°C | 0°C to +85°C |
| Packhaging | 96-FBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Latensya ng CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 9-14 clocks (programmable) |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 and 4 |
| On-Die Termination | Yes (Dynamic ODT) | Yes (ODT) |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Wala sa Halogen | — | Yes |