K4B4G1646E-BMMA vs K4B4G1646D-BCH90 So sánh
So sánh chi tiết song song của K4B4G1646E-BMMA bằng Samsung Electronics và K4B4G1646D-BCH90 bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCH90 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4B4G1646E-BMMA | K4B4G1646D-BCH90 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Giá đơn vị (USD) | $16,08 | — |
| Kiểu bộ nhớ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Tổ chức | 256M x 16 | 32M x 16 |
| Tốc độ dữ liệu | 1600 Mbps | 2133 Mb/s per pin |
| Điện áp cung cấp | 1.35 V | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Nhiệt độ hoạt động | -40°C to +95°C | 0°C to +85°C |
| Hộp | 96-FBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Giao diện | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Latency CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 9-14 clocks (programmable) |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 and 4 |
| On-Die Termination | Yes (Dynamic ODT) | Yes (ODT) |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Đông trùng haogen | — | Yes |