K4B4G1646Q vs K4B4G1646E-BYK0 Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4B4G1646Q sa pamamagitan ng Samsung Electronics at K4B4G1646E-BYK0 sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4B4G1646Q | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Width ng Data Bus | 16 bits | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Rate ng Data | 1866 Mbps (PC3-14900) | DDR3-1600 (800 MHz) |
| Packhaging | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes (dynamic ODT) |
| Latensya ng CAS | Programmable | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| Temperature na Operasyon | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0°C to +95°C (TC) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |