K4B4G1646Q vs K4B4G1646E-BYK0 比較
詳細並排比較 K4B4G1646Q 由 Samsung Electronics 與 K4B4G1646E-BYK0 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
規格比較
| 參數 | K4B4G1646Q | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| 品牌 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| 組織 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 資料匯流排寬度 | 16 bits | — |
| 供應電壓 | 1.35V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| 資料速率 | 1866 Mbps (PC3-14900) | DDR3-1600 (800 MHz) |
| 封裝 | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| 無鹵素 | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes (dynamic ODT) |
| CAS 延遲 | Programmable | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| 工作溫度 | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0°C to +95°C (TC) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |