K4B4G1646Q vs K4B4G1646E-BYK0 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646Q توسط Samsung Electronics و K4B4G1646E-BYK0 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646Q | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| عرض گذرگاه داده | 16 bits | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.35V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| نرخ داده | 1866 Mbps (PC3-14900) | DDR3-1600 (800 MHz) |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes (dynamic ODT) |
| تأخیر CAS | Programmable | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0°C to +95°C (TC) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |