K4B4G1646Q vs K4B4G1646E-BYK0 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646Q מאת Samsung Electronics ו K4B4G1646E-BYK0 מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646Q | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| רוחב אפיק נתונים | 16 bits | — |
| מתח אספקה | 1.35V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| קצב נתונים | 1866 Mbps (PC3-14900) | DDR3-1600 (800 MHz) |
| מארז | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes (dynamic ODT) |
| השהיית CAS | Programmable | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0°C to +95°C (TC) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |