K4B4G1646Q vs K4B4G1646E-BYK0 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646Q بذریعہ Samsung Electronics اور K4B4G1646E-BYK0 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646Q | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ڈیٹا بس چوڑائی | 16 bits | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.35V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| ڈیٹا ریٹ | 1866 Mbps (PC3-14900) | DDR3-1600 (800 MHz) |
| پیکیج | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes (dynamic ODT) |
| CAS لیٹنسی | Programmable | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0°C to +95°C (TC) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |