1ED3127MU12FXUMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1ED3127MU12FXUMA1 tarafından Infineon ve 1EDN7116GXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1ED3127MU12FXUMA1 1EDN7116GXTMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Fonksiyon Single-channel isolated gate driver Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs
Çıkış Sayısı 1 —
Çıkış Konfigürasyonu High-side / Low-side, Inverting / Non-Inverting —
Peak Output Current 10 A (source/sink) —
Continuous Output Current 9 A —
Supply Voltage (VCC2 secondary) 12 V to 35 V —
Supply Voltage (VCC1 primary) 3 V to 5.5 V —
Propagation Delay (typ.) 15 ns —
Delay Matching (typ.) 30 ns —
Galvanic Isolation 3000 Vrms (coreless transformer) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40C to +125C -40 °C to +125 °C
Protection Features Miller clamp, UVLO, DESAT short-circuit protection —
Paket PG-DSO-8-72 (SOIC-8 wide-body) PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
Drives IGBT, MOSFET, SiC MOSFET —
Driver Configuration — Non-inverting, single low-side
Number of Drivers — 1
Peak Source Current — 2 A (typ)
Peak Sink Current — 4 A (typ)
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 5.5 V
Switch-Node Blocking Voltage — 200 V (max)
Propagation Delay (Typ) — 9 ns
Rise Time (Typ) — 3 ns
Fall Time (Typ) — 3 ns
Quiescent Current (Typ) — 0.6 mA
Miller Clamp — Integrated, active
UVLO — Yes (VCC and gate-rail monitored)
MSL Seviyesi — MSL3
Target Switch Technology — GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin