1EDN7116GXTMA1 vs 1ED3122MC12HXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1EDN7116GXTMA1 tarafından Infineon ve 1ED3122MC12HXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1EDN7116GXTMA1 1ED3122MC12HXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Fonksiyon Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs —
Driver Configuration Non-inverting, single low-side —
Number of Drivers 1 —
Peak Source Current 2 A (typ) —
Peak Sink Current 4 A (typ) —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V —
Switch-Node Blocking Voltage 200 V (max) —
Propagation Delay (Typ) 9 ns —
Rise Time (Typ) 3 ns —
Fall Time (Typ) 3 ns —
Quiescent Current (Typ) 0.6 mA —
Miller Clamp Integrated, active Active (integrated)
UVLO Yes (VCC and gate-rail monitored) Primary and secondary side
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40 °C to +125 °C —
Paket PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL3 2
RoHS Durumu Compliant Compliant
Target Switch Technology GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET —
Product Type — Isolated Gate Driver (single-channel)
Isolation Technology — Coreless Transformer (CT)
Isolation Voltage (Vrms) — 5.7 kVrms
Maximum Transient Isolation (Vpk) — 8 kVpk
Output Current (source / sink) — 10 A / 9 A
Configuration — High-side, non-inverting
Number of Channels — 1
Supply Voltage (VCC / VBS) — 8 V to 35 V
Propagation Delay (typ.) — 30 ns
Rise Time / Fall Time (typ.) — 15 ns / 30 ns
Short-Circuit Clamping — Yes
İşletim Sıcaklığı — -40 C to +125 C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin