1EDN7116GXTMA1 vs 1ED3122MC12HXUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 1EDN7116GXTMA1 بذریعہ Infineon اور 1ED3122MC12HXUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
1ED3122MC12HXUMA1 1ED3122MC12HXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3122MC12HXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3122MC12HXUMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 1EDN7116GXTMA1 1ED3122MC12HXUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فنکشن Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs —
Driver Configuration Non-inverting, single low-side —
Number of Drivers 1 —
Peak Source Current 2 A (typ) —
Peak Sink Current 4 A (typ) —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V —
Switch-Node Blocking Voltage 200 V (max) —
Propagation Delay (Typ) 9 ns —
Rise Time (Typ) 3 ns —
Fall Time (Typ) 3 ns —
Quiescent Current (Typ) 0.6 mA —
Miller Clamp Integrated, active Active (integrated)
UVLO Yes (VCC and gate-rail monitored) Primary and secondary side
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40 °C to +125 °C —
پیکیج PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول MSL3 2
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Target Switch Technology GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET —
Product Type — Isolated Gate Driver (single-channel)
Isolation Technology — Coreless Transformer (CT)
Isolation Voltage (Vrms) — 5.7 kVrms
Maximum Transient Isolation (Vpk) — 8 kVpk
Output Current (source / sink) — 10 A / 9 A
Configuration — High-side, non-inverting
Number of Channels — 1
Supply Voltage (VCC / VBS) — 8 V to 35 V
Propagation Delay (typ.) — 30 ns
Rise Time / Fall Time (typ.) — 15 ns / 30 ns
Short-Circuit Clamping — Yes
آپریٹنگ درجہ حرارت — -40 C to +125 C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں