2ED2108S06FXUMA1 vs 1EDN7146GXTMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2ED2108S06FXUMA1 tarafından Infineon ve 1EDN7146GXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2ED2108S06FXUMA1 1EDN7146GXTMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 1 1
Gate Type N-Channel MOSFET, IGBT —
Çıkış Sayısı 2 (high-side + low-side) —
Logic Input Non-Inverting —
Input Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
High-Side Bootstrap Voltage Rating 650 V —
Peak Source Current (typ.) 0.29 A —
Peak Sink Current (typ.) 0.7 A —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB) —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
Rise / Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: tr/tf ns] —
İşletim Sıcaklığı -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Paket PG-DSO-8-53 (DSO-8) PG-VSON-10-4
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 1
RoHS Durumu Compliant Compliant
Driver Type — High-side, single-channel
Logic Type — Non-Inverting
Input Type — TDI (Truly Differential Inductor)
Maximum Bootstrap Voltage (VB) — 200 V
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Source/Sink Drive Current — 500 mA / 500 mA
Gate Drive Voltage — Up to 11 V (typ)
Propagation Delay (typ) — 40 ns
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
UVLO (VCC) — Yes
UVLO (VB) — Yes
Bootstrap Diode — Integrated

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin