BSC010NE2LSIATMA1 vs BSC015NE2LS5IATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC010NE2LSIATMA1 tarafından Infineon ve BSC015NE2LS5IATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC010NE2LSIATMA1 BSC015NE2LS5IATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series / Family OptiMOS 25V —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 96 W —
Paket PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-Channel —
Technology OptiMOS (Trench) OptiMOS 5 trench
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (TJ) -55C to +150C (junction)
Pin Sayısı 8 8
RoHS Durumu Compliant Compliant
Gate Drive Logic-level compatible —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Rds(on) at 10V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V] —
Rds(on) at 4.5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Product Family — OptiMOS 5 25V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 33 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 1.5 mOhm
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 50 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: Qg typical value]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin