BSC014N04LSATMA1 vs BSC0501NSIATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC014N04LSATMA1 tarafından Infineon ve BSC0501NSIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC014N04LSATMA1 | BSC0501NSIATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 32 A | 29 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 1.4 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 96 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C | — |
| Paket | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) | Trench-gate OptiMOS 5 |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 (unlimited) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Product Family | — | OptiMOS 5 25V/30V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 50 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55C to +150C |
| Avalanche Rated | — | Yes |