BSC014N04LSATMA1 vs BSC0501NSIATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC014N04LSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC0501NSIATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC014N04LSATMA1 | BSC0501NSIATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 32 A | 29 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 1.4 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 96 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C | — |
| پیکیج | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) | Trench-gate OptiMOS 5 |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 (unlimited) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Product Family | — | OptiMOS 5 25V/30V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 50 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55C to +150C |
| Avalanche Rated | — | Yes |