BSC014N04LSIATMA1 vs BSC010NE2LSIATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC014N04LSIATMA1 tarafından Infineon ve BSC010NE2LSIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC014N04LSIATMA1 BSC010NE2LSIATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) OptiMOS (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 25 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] —
RDS(on) max at VGS=10 V 1.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation (PD, Tc) 96 W —
Power Dissipation (PD, Ta) 2.5 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C -55C to +150C (TJ)
Paket PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Durumu Compliant Compliant
Tradename OptiMOS —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series / Family — OptiMOS 25V
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 96 W
Configuration — Single N-Channel
Pin Sayısı — 8
Gate Drive — Logic-level compatible
Rds(on) at 10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V]
Rds(on) at 4.5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin