BSC014N04LSIATMA1 vs BSC010NE2LSIATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC014N04LSIATMA1 توسط Infineon و BSC010NE2LSIATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC014N04LSIATMA1 | BSC010NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) | OptiMOS (Trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 31 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 1.4 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 96 W | — |
| Power Dissipation (PD, Ta) | 2.5 W | — |
| محدوده دمای کاری | -55 C to +150 C | -55C to +150C (TJ) |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) | PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| سطح MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Tradename | OptiMOS | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series / Family | — | OptiMOS 25V |
| نوع ترانزیستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 96 W |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| تعداد پایه | — | 8 |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| Rds(on) at 10V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V] |
| Rds(on) at 4.5V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |