BSC014N04LSIATMA1 vs BSC010NE2LSIATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSC014N04LSIATMA1 bằng Infineon và BSC010NE2LSIATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSC010NE2LSIATMA1 BSC010NE2LSIATMA1 - 25V 100A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC010NE2LSIATMA1 - 25V 100A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC010NE2LSIATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSC014N04LSIATMA1 BSC010NE2LSIATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) OptiMOS (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 25 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] —
RDS(on) max at VGS=10 V 1.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation (PD, Tc) 96 W —
Power Dissipation (PD, Ta) 2.5 W —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 C to +150 C -55C to +150C (TJ)
Hộp PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Cấp MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Tradename OptiMOS —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series / Family — OptiMOS 25V
Kiểu transitor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 96 W
Configuration — Single N-Channel
Số chân — 8
Gate Drive — Logic-level compatible
Rds(on) at 10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V]
Rds(on) at 4.5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá