BSC014N04LSIATMA1 vs IPB020N10N5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC014N04LSIATMA1 tarafından Infineon ve IPB020N10N5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC014N04LSIATMA1 | IPB020N10N5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 31 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 1.4 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 96 W | — |
| Power Dissipation (PD, Ta) | 2.5 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +150 C | -55C to +175C |
| Paket | PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) | PG-TO263-3 (D2PAK-3) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Tradename | OptiMOS | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPB020N10N5ATMA1 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 120 A |
| Maximum Drain Current (ID max, per Infineon product page) | — | 176 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 2 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 375 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Packaging | — | Tape & Reel (ATMA1 suffix) |